存儲市場復甦進入倒計時,三星等芯片廠帶頭拉漲

存儲市場復甦進入倒計時,三星等芯片廠帶頭拉漲

經過長達一年的價格腰斬與緩慢回升,“固態硬盤、內存條漲價”再度成爲熱門詞條。

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2月29日,界面新聞記者瀏覽京東平臺數碼產品區注意到,一款京東自營的三星500G SSD固態硬盤最新售價爲379元,而去年該產品“618”期間價格僅爲199元,前後漲幅接近1倍。

如果排除大促因素影響,上述產品在去年5月到7月的價格穩定在270元上下,淘寶、拼多多等官方渠道價格變動也與京東一致。

對比金士頓、鎧俠、西部數據、長江存儲等品牌過去一年主要產品,如內存條與固態硬盤的價格走勢可以發現,去年5月至6月期間,頭部存儲廠商大多觸及“地板價”,而目前都較此前漲價超過50%,部分產品甚至翻了一倍多。

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但有行業人士認爲,近期的一輪漲價只是市場歷經寒冬後的回暖,且與暴跌前的正常價格水平仍有一段距離。

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2022年下半年,智能手機、電腦等電子消費品全球需求銳減,存儲市場產能過剩,供給遠大於需求。DRAM(內存芯片)、NAND-Flash(閃存芯片)價格腰斬,2023年年年中更是跌至谷底。固態硬盤、內存條價格直接被帶崩,市面上主流的一款1TB容量固態硬盤,2021年上市價格接近1000元,而到2023年6月時,直接打五折不足500元。內存條的價格同樣下跌嚴重。

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經歷過巨幅下跌後,從去年下半年開始,“不再虧本賣產品”已成行業共識。整個存儲產業從上游芯片廠到下游模組廠,產品供應端帶頭拉昇漲價。

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多位行業人士向界面新聞記者表示,迄今爲止存儲市場的止跌、回升,主要靠源頭供應商的拉漲。

首先是芯片廠。三星、SK海力士、美光是全球排名前三的存儲芯片廠商,三家公司累計握有全球95%以上的DRAM與NAND-Flash訂單。

受存儲芯片價格暴跌衝擊,“存儲三巨頭”均交出了歷史最差財報。三星去年全年淨利大幅減少72%,SK海力士、美光的淨利潤也出現大幅下跌乃至鉅虧。

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爲此,去年三家公司都已啓動減產計劃,通過消耗客戶庫存來遏制價格下跌。三星2023年已將DRAM、NAND Flash芯片產量削減了20%至25%,其減產計劃將一直執行到今年第二季度,直至芯片業務徹底迴歸盈虧平衡。SK海力士、美光也被曝在內部設置了芯片價格止跌回升的“盈虧平衡紅線”。

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從去年下半年到今年開年,三家芯片廠均被曝出已經向金士頓、西部數據等存儲設備客戶發出芯片合約價調價通知。據半導體市場調研機構TrendForce預測,芯片廠今年爲減少虧損會首先推動漲價,2023年DRAM合約價第一季度漲幅將達到13%至18%,NAND-Flash則爲18%至23%,且全年都將保持上漲。

在芯片廠帶頭漲價後,金士頓、西部數據、東芝這一類存儲模組設備商採購芯片的成本相應變高,不得不跟進漲價。後者產品的漲幅雖然沒有芯片原廠的調整幅度大,但今年會延續不斷上漲的態勢。

一位金士頓的國內代理銷售商告訴界面新聞記者,目前存儲芯片價格漲勢已成定局。芯片廠不急於出貨,計劃在2024年不斷拉漲價格,該趨勢預計可持續半年左右,屆時也會進一步反映在固態硬盤、內存條等產品的公開售價上。

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至於行業何時能迎來需求復甦,重新回到供需平衡點,目前還未有統一的共識及時間表,但AI成爲刺激需求的一項關鍵要素。

AI大模型去年的爆發不僅帶動了算力需求暴漲,還使行業意識到越來越多的數據需要被存儲,HBM則被行業視作適應AI應用場景的下一代先進存儲技術。

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HBM(High Bandwidth Memory )是一種高帶寬存儲技術,核心工藝是通過3D堆疊技術把多個DRAM芯片連接組合爲一體。採用此技術生產出的內存芯片不僅帶寬高、功耗低,而且密度高、佔用空間小,可存儲更多數據且傳輸速度更快。

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目前SK海力士、三星、美光都在全力生產最新一代HBM3產品,以供貨英偉達生產最先進的AI服務器。幾天前,SK海力士、美光管理層均表示因市場供不應求,公司2024年的HBM份額都已售罄。

某存儲半導體公司首席財務官此前接受界面新聞採訪時表示,存儲行業預期會在今年下半年逐漸走向供需平衡的復甦。這一輪復甦主要是AI爆發刺激對AI服務器、AI手機、AI PC的先進存儲需求上漲,而非單純依靠廠商減產。